据闪德资讯获悉，在SEMICON China 2026展会上，长电科技展出HBM3e封装方案，采用先进的2.5D堆叠技术，互联密度提升20%，带宽提升到了960GB/s。

HBM3e可以完美适配3nm及以下工艺的高端AI芯片，而且目前已经获得AMD、NVIDIA等巨头的订单。

国产HBM3e封装亮相：带宽960GB/s、适配3nm以下AI芯片

需要注意的是，长电科技是国内知名的芯片封装企业，并不生产HBM3e芯片。

长电科技CEO郑力提及，传统晶圆制造已逼近1nm物理极限，成本与量子隧穿效应构成显著瓶颈，原子级封装正成为后摩尔时代的核心突破路径。

依托ALD原子层沉积、混合键合等四大核心技术，长电科技实现封装精度跨量级提升：对准精度从±5μm推进至<10nm，互联密度突破6万触点/mm²，界面间隙达到原子级无间隙，完成三个数量级的技术跨越。

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