本周存储市场呈现DDR4、DDR5现货价格小幅回调、SSD供应端吃紧价格上涨的局势，整体依然维持高位行情。
本轮行情'>存储行情的核心矛盾，聚焦于供给端产能规划与市场需求的错配。
上游产能虽有计划扩张，但韩国存储两大巨头三星、SK海力士近期又传来新动作，主动放缓扩产进度，采取保守策略。
此次放缓主要取决于两大考量，其一是行业周期亏损的前车之鉴，加上扩产所需的2-3年释放周期，极易引发产能过剩、价格崩盘的风险。
另一方面，两大原厂对短缺周期预判存在分歧，三星预计DRAM短缺浪潮至2028年收尾，SK海力士预判到2030年。
这也让原厂更倾向于规避过度投资风险，在短期盈利红利与长期产能布局中优先选择稳健经营。
为锁定本轮DRAM涨价周期的盈利红利，三星正推进与核心客户签订3-5年期长期供应合约，以小幅让利优惠换取长期需求承诺，构建稳定的营收基本盘。
即便未来存储市场需求下滑或产能过剩导致价格崩盘，三星依然能凭借合同维持高额且稳定的营收。
但对下游而言，原本预期2027-2028年收尾的DRAM涨价周期，大概率会被进一步拉长，终端采购成本承压态势将持续。
从具体市场来看，DRAM市场，出现小幅回调，DDR3系列跌幅较大，现货交易量萎缩。
SSD市场延续上涨态势，厂商在现货市场的找货力度加大，多方比价之下，整体出货成本明显提升，渠道端备货积极性不高。
Flash颗粒市场，上涨趋势尚未结束，但节奏已从此前的暴涨逐步放缓。
USB市场维持震荡走势，价格偏高，实际成交有限。
整体来看，供需错配与原厂保守扩产策略共振，短期价格高位僵持格局难改，中长期DRAM/NAND涨价红利有望被长约机制进一步锁定，高价会成为行情接下来的新常态，下游渠道需做好成本承压准备。
注意：以下市场价格波动较快，以实际成交价格为准。
SSD固态市场
本周SSD市场延续上涨趋势。上游晶圆价格持续走高，带动OEM厂商采购成本上升，叠加市场货源偏紧，厂商在现货市场的找货力度加大，多方比价之下，整体出货成本明显提升。
在成本持续抬升的背景下，市场出现价格倒挂现象，渠道出货节奏放缓，流速下降。
品牌厂商目前仍以消化成本压力为主，价格传导相对有限，仅低容量SSD产品小幅跟涨，其他型号出现“有价无市”或报价缺失的情况。
渠道端整体心态趋于谨慎，备货积极性不高。与此同时，终端市场反馈显示，用户对当前高价接受度下降，实际成交表现偏弱，市场呈现出高价下的僵持状态。
本周NVME3.0大致报价，除480G容量不变，其它容量呈上涨态势，涨幅区间在1%-5%左右。
本周NVME4.0大致报价，除480G容量上涨2%左右，其它容量保持不变。
本周SATA3.0市场报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在1%-6%左右。
DRAM内存市场
本周DRAM市场价格开始出现小幅下跌迹象，D3系列跌幅较大。
原厂端三星正考虑与主要客户签订为期3至5年的长期供应合同，锁定企业级产能。
同时，三星罢工风险仍是潜在扰动因素。
而近期现货市场成品条加工条交易量有所萎缩，多方表示由于目前价高较难成交，需要时间消耗低价库存。
供应短缺问题，多家机构和厂商均认为至少要到2027年下半年才能得到实质性缓解。
本周内存OEM市场报价，D4板块，所有容量呈下跌态势，跌幅区间在1%-3%左右。
D3板块，所有容量呈下跌态势，跌幅区间在8%-10%左右。
FLASH颗粒市场
本周Flash颗粒市场延续涨势，其中64G和128G等中高容量涨幅最为显著。
目前上涨趋势尚未结束，但节奏已从此前的暴涨逐步放缓。
SK集团会长崔泰源在GTC大会预警，半导体生产限制可能再持续4到5年，基础硅晶圆供应缺口超20%，供不应求或延续至2030年。
而现货价格处于高位，观望情绪浓厚。
虽然询单较为活跃，但由于各方报价偏高，采购端普遍采取多方比价策略，在不同渠道之间反复询盘，仅在达到预期价位或锁定合适库存时才会下单。
USB市场
本周USB市场维持震荡走势，晶圆端现货市场持续拉涨，下游端被动调价，实际成交有限。
TF卡市场64G-256G小幅下跌，贸易端wafer价格高位站岗，市场接受程度较低，整体维持流水为主，渠道仍在等待客户消化当前价位。
本周PCBA大致报价，小容量保持不变，大容量呈上涨态势，涨幅区间在6%-23%左右。
本周TF卡市场大致报价，小容量保持不变，大容量呈下跌态势，跌幅区间在1%-4%左右。
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