据闪德资讯获悉，摩根大通在最新报告中指出，随着AI推理应用推动存储需求持续增加，叠加多项新技术路径采用KV Cache技术，预计未来三年eSSD内容量显著加速至900EB。

与此同时，HDD供应紧张也对SSD带来正向需求，预计HDD与SSD将在不同应用场景中实现互补共存。

尽管市场普遍认为NAND闪存吸引力不及DRAM，但摩根大通分析认为，原厂在资本支出方面比较审慎，加上重心聚焦在DRAM领域，在eSSD需求强劲增长带动下，预计至2028年面向AI应用NAND闪存整体潜在市场将达到约700亿美元。

技术演进方面，随着原厂将更多资源调配至DRAM产线，用于NAND闪存占比将持续下降。

此外，HBF目前仍处于概念验证阶段，若未来实现商业化应用，相较于传统3D NAND，有望进一步优化行业供需结构。

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