SK海力士投资19万亿扩产HBM

2026-01-13
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据闪德资讯获悉,为应对全球AI内存需求激增,为增强HBM竞争力,SK海力士13日宣布将在韩国忠北清州投资19万亿韩元,建设P&T7先进封装工厂。

该项目预计今年4月动工,2027年底竣工,占地约23万平方米。

通过此次投资,SK海力士完善了清州园区从NAND闪存DRAM、HBM生产到先进封装的全产业链布局。

已对M15X工厂投资20万亿韩元,用于提升HBM等下一代DRAM产能。

M15X工厂已提前于去年10月启动无尘室建设,目前正逐步完成设备安装,生产的DRAM芯片将通过P&T7工厂加工为HBM产品。

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由于全球AI竞争,HBM市场对AI存储至关重要,预计从2023-2030年保持33%的增速。

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