三星电子正加快扩充平泽半导体工厂产能，以应对AI对存储芯片需求激增。

在决定重启平泽第五生产线（P5）建设后，公司已启动关键基础设施招标程序；同时平泽第四生产线（P4）设备导入时间也出现提前迹象。

三星拟采用“快速通道”（Fast Track）模式，同步推进车架施工、设备订购与安装，以大幅缩短量产周期。

P5推进速度前所未有，反映对快速响应市场需求的高度重视。

作为10纳米第六代1c DRAM量产核心基地P4扩产项目也在加速推进，1c DRAM将用于HBM4。

P4设备引进和试运行节点较原计划提前了约2-3个月。

与此同时，SK海力士也比原计划提前四个月，在最新M15X晶圆厂开始量产HBM4。

业内透露，SK海力士计划提前2月开始生产HBM4所需的1b DRAM，原本计划在6月才投入生产。

初期月产能约1万片，预期2026年底扩增至数倍。

SK海力士正积极在晶圆厂安装设备，以迅速扩充产能。

此举主要是为了满足NVIDIA需求，M15X专门生产HBM4用于搭配Rubin AI加速器，SK海力士HBM4已通过客户验证。

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