据闪德资讯获悉，三星电子宣布，成功开发出一种新型晶体管，可在10纳米以下的制程节点制造DRAM，有望解决移动DRAM在微缩化进程中面临的关键挑战。

该技术目前仍处于研究阶段，未来将应用于10纳米以下的DRAM产品。

三星将该技术称为高耐热非晶氧化物半导体晶体管，能承受高达550℃高温，从而有效防止性能衰退。

采用垂直通道结构，通道长度为100纳米，可与单片CoP DRAM架构集成。

在测试结果中，该晶体管漏极电流几乎无衰减，在老化测试中也表现优异。

此项技术将增强三星在高密度内存市场的竞争力，有望于2026年及之后率先应用于相关设备。

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