据闪德资讯获悉，三星电子将在明年2月举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示HBM4。

计划展示的HBM4容量为36GB、带宽3.3TB/s。

相比上个月展出的36GB、2.4TB/s的HBM4在带宽上得到进一步提升，三星还通过堆叠结构与重新设计接口提升了速度和能效。

SK海力士也将在明年2月公开下一代存储技术。

预计会展示单个引脚速率达14.4Gb/s的LPDDR6内存，配备基于低压差稳压器的WCK时钟分配架构，可在超高速情况下保持信号稳定，相比上一代LPDDR5X提升更高。

SK海力士还将会展示GDDR7显存，单个引脚速度最高可达48Gb/s，容量24Gb，最大特点就是可以将通道分成两部分，能同时进行读写操作，面向GPU、AI边缘推理、高分辨率游戏等场景。

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