据闪德资讯获悉，摩根士丹利发布最新报告，由于三星电子在HBM领域占据技术领先地位，2026年获利有望暴增超150%。

三星凭借1c DDR5前端技术、4纳米逻辑基础晶粒及低功耗优势，在HBM4产品性能及超过11Gbps规格方面具备技术领先性。

加上拥有涵盖DRAM、代工与封装的端到端生产能力，三星有望快速扩大HBM市场份额。

供应端方面，三星DRAM有效产能达50万片每月，总产能约65万片每月，远超竞争对手，这使三星重新掌握存储市场的主导权。

目前，DRAM订单履约率仅约70%，订单能见度已延伸至2026年上半年。

报告指出，尽管三星在供给端拥有显著优势，但管理层仍刻意采取更理性”的策略，不盲目追逐市场热潮，而是选择与关键客户合作，根据真实需求调整供给。

三星P4工厂设计产能超过10万片每月，为DRAM与代工两大业务预留了充足的扩张空间。

三星代工业务也出现回暖迹象。

2纳米制程已接到多家订单，产能利用率提升带动获利回升，不过制程产量仍需逐季提高，拓展特斯拉之外的大客户仍是当前首要任务。

摩根士丹利认为，三星代工业务最坏时期已过去。

在市场供给紧张的环境下，三星已具备更强的定价能力。

同时，KB证券也发布报告，预计三星电子本季度将创下史上最高季度营业利润。

维持"买入"评级，并将目标价从15万韩元上调至16万韩元。

三星电子前一日收盘价为9.67万韩元。

KB证券上调目标价理由有两方面：第四季度营业利润预计接近20万亿韩元，有望刷新单季最高纪录；HBM4质量认证可能在年内提前通过。

特别将今明两年对三星电子的营业利润预测分别上调8%和18%。

预计2026年三星电子营业利润和净利润将分别达到97万亿韩元和88万亿韩元，较前一年实现翻倍增长。

针对第四季度业绩，KB证券预测三星电子销售额将达91万亿韩元，营业利润19万亿韩元，同比分别增长20%和192%。

其中营业利润同比增幅预计达3倍，较市场预期14万亿韩元高出33%。

还特别指出，半导体部门本季度营业利润预计飙升至15.1万亿韩元，同比增长5倍。

第四季度DRAM价格涨幅达35%，预计DRAM业务营业利润率将升至52.9%，同时大容量eSSD出货量增加，预计NAND闪存业务盈利能力将大幅改善。

外资也在陆续上调三星电子的目标价。

花旗集团在最新报告中，将目标价从15万韩元调升至17万韩元。

指出在AI投资拉动存储芯片需求的背景下，实际供应短缺情况更为严峻，客户为保障芯片供应可能会展开溢价采购竞争。

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