据闪德资讯获悉，美光表示将按计划发布HBM4，被视为明确否认了近期"HBM需重新设计"的说法。

首席财务官Mark Murphy近期在会议上透露：明年HBM3E和HBM4产能已全部售罄，HBM4将于明年第二季度起出货。

意味着美光已完成明年产能签约目标。

该声明同时反驳了香港GF证券关于"HBM4或因产品重新设计延迟至2027年出货"的说法。

Mark Murphy强调，目前尚无任何公司完成AI芯片系统级HBM4质量认证，并指出美光HBM数据传输速率达每引脚11Gb/s，表现领先正按流程接受评估。

对于外界关于美光HBM4基片竞争力不足的质疑，美光也予以回应。

基片作为HBM最底层芯片，承担与AI芯片连接功能且日趋复杂。相较于SK海力士采用台积电、三星采用自家晶圆代工模式，美光选择自主设计生产基片。

首席技术官Scott DeBoer解释，基片与ASIC不同，需要完全专为内存设计。去年晶圆代工厂尚未做好优化准备，因此决定自主生产。从HBM4E起将转由台积电生产，目前正开展联合开发。

美光对HBM4市场表现充满信心，强调将在性能、能效与质量方面保持竞争优势。

Scott DeBoer透露，HBM4延续HBM3E工艺、设计和检测流程，预计达成成熟良率速度将显著加快，自然推动成本结构优化与利润提升。

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