据闪德资讯获悉，全球存储市场正面临罕见的“三大类产品同步供应紧缩”现象。

从DRAM、NAND到NOR闪存，整个存储领域全面进入长期供需紧张状态。

这种排挤效应”正沿着半导体供应链迅速扩散，对整个行业产生深远影响。

专家指出，目前终端品牌厂商最关注的问题，已不再是产品设计或规格，而是“明年如何采购，以及能否确保供应”。

预计明年存储芯片价格将持续上涨，甚至CPU也传出涨价信号。

终端产品厂商现在关注焦点变成“价格涨幅有多大，以及由谁来承担成本增加的压力”。

DDR4供需紧张主要原因，是三星、SK海力士、美光等原厂近年来加速推动DDR4产品退场，将成熟制程资源全力转向HBM与DDR5生产。

预计到年底DDR4缺口将超过7万片，在2026年也难以完全填补。

在NAND闪存方面，价格上涨主要源于云端服务提供商策略转变。

从2026年起，大型云端服务提供商正评估使用QLC eSSD，以取代部分HDD用于冷数据存储。

在AI服务器中，NOR闪存用量增长最为显著。

一台高阶机柜所需NOR闪存价值就超过600美元，预计两年内将上涨至900美元。

随着存储市场正式进入超级周期，面对DRAM和NAND闪存价格上涨，品牌厂商只能对IC供应商施压，要求降价以控制成本。

议价能力较弱的IC设计和代工商将被迫让利，通过降低价格来换取订单和维持产能利用率。

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