继闪迪宣布将NAND Flash闪存合约价格大幅上调50%后，存储原厂又开始涨价了！

11月14日，据行业知情人士消息，三星已恢复DDR5合约报价。

图源于三星电子

恢复报价后，三星11月份32GB DDR5内存芯片模块的合同价格从9月份的149美元上涨至239美元，价格上涨了60%。

三星还将16GB DDR5和128GB DDR5芯片的价格分别上调了约50%，至135美元和1194美元，64GB DDR5和96GB DDR5的价格上涨了30%以上。在三星停止报价时，现货D5价格已暴涨25%。

而在前两日，据行业消息，三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。目前三星正与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。

此消息一出，存储热度再度继续拉升，根本停不下来！

在行业中，四季度合约价上涨已经成为市场共识，但这一波接一波涨价的背后，都发生了什么？

去年一整年，原厂的NAND产品售价几乎停留在成本价水平，2025 年以来，三星、 SK 海力士、美光等五大 NAND 原厂联合实施 10%-15%的产能削减，将 NAND 产能利用率降至 70%-75%，单季减少约 30 万片等效 12 英寸晶圆产出。

据分析机构Omdia年度NAND闪存产量数据显示，三星今年的NAND晶圆产量目标从去年的507万片下调约7%，至472万片；铠侠也将年产量从去年的480万片调减至469万片。

产能方面，Omdia预计，三星和铠侠的减产趋势将持续到明年。SK海力士NAND产量已从去年的201万片降至约180万片，降幅约10%；美光最大NAND生产基地新加坡Fab 7工厂，则将产量维持在30万片出头的水平，维持保守供给。

内存方面，随着三星、SK 海力士和 美光等上游供应商都在逐步减少 DDR4 的生产，为 DDR5 和高带宽内存 (HBM) 腾出空间。据分析师预测，到 2026 年第四季度，全球 DDR4 产能将降至 2025 年第一季度水平的 25%-33%。

2025年全球HBM总产能已增至54万片，同比激增105%，但仍难以填补AI带来的需求缺口。此外，HBM的生产存在严重的结构性限制，其中要达到与 DDR5 相同的密度，HBM 需要三倍的晶圆产出，并且增加先进 DDR 技术（如 DDR5）的产能耗资巨大且耗时。

SK 海力士为应对 HBM 与通用 DRAM 需求，启动最大产能，今年单季度晶圆投入量稳定在 150 万片级别，年内将接近 160 万片最大产能。

从传统DRAM 的新增产能来看，仅三星新增1.5 万片/月，海力士新增5000 片/月，长鑫存储新增1 万片/月，南亚科新增7000 片/月，整体新增产能相对有限。

由于AI正在以颠覆性力量催生结构性存储缺口，三星、SK海力士、美光三大寡头摒弃了过去“规模优先”的策略，转向“利润优先”，将先进制程产能集中投向高附加值产品，纷纷缩减消费级产能，产能转向企业级3D QLC产品、DDR5与HBM产品。

铠侠、SanDisk加速BiCS8生产并投资BiCS9研发，美光在DRAM投资积极，主攻1-gamma制程导入以及TSV设备建设，2026年目标是微幅增加NAND Flash产能并专注G9制程和eSSD。相较之下，三星和SK海力士／Solidigm则将缩减或限制NAND Flash资本支出，优先将投资转向HBM和DDR5领域。

在AI的快速发展下，全球科技巨头纷纷加码AI投入：英伟达、亚马逊等四家企业占据HBM（AI芯片模块主存储器）需求的95%，国内阿里巴巴、百度等厂商也加大资本支出，聚焦算力芯片与数据中心建设，直接带动HBM市场爆发。

摩根士丹利报告强调，美国四大云服务提供商——亚马逊、谷歌、以及微软——预计到 2025 年，人工智能支出将达到3590 亿美元，同比增长 57%。预计这一趋势将持续下去，到 2026 年，支出将达到 4540 亿美元，同比增长 26%。

9月份，美国英伟达公司首席执行官黄仁勋接受媒体采访时说，英伟达计划向美国开放人工智能研究中心（OpenAI）投资1000亿美元，双方将共建大规模数据中心。此外OpenAI与甲骨文（Oracle）、日本软银联合宣布，将在美国新建五个人工智能数据中心，未来三年总投资预计超过4000亿美元。

近期苏姿丰在活动上表示，AMD 的 MI450 系列芯片和 Helios 机架级产品正展现出强劲发展势头，在超大规模数据中心运营商、原生人工智能企业及主权人工智能机构中，已获得多个吉瓦级（gigawatt-scale）项目机会。她认为到 2030 年，数据中心市场规模将达到 1 万亿美元。

美光数据显示，AI服务器的DRAM容量需求是普通服务器的8倍，NAND 容量需求则达到3倍，单台AI服务器存储需求更是高达2TB，远超传统服务器的配置标准。

据业内人士透露，北美大型科技企业担心NAND价格飙升，已开启“恐慌性囤货”，部分供应商明年NAND供货量已被抢订一空。

SK海力士在今年第三季度财报电话会议上透露，不仅HBM，而且明年用于服务器、PC和移动设备的通用DRAM的供应也已经全部预订完毕。除此之外，美光2026年底前的HBM产能已全部预售完毕。

由于半导体存储行业对供需极为敏感，一旦出现供需错配，价格就会迅速作出反应，成为最直观的市场风向。

据行业消息，存储芯片企业闪迪（SanDisk）宣布，其11月NAND闪存芯片的合约价格上调50%。值得注意的是，这也是闪迪今年以来至少第三次涨价，其在4月宣布全系涨价10%之后，又在9月初针对全部渠道和消费类产品执行10%普涨。

这一举措凸显出存储市场的供应紧张。闪迪表示，第一财季NAND产品需求超过了供应，库存周转天数从135天减少到115天，预计这一趋势将持续到2026年底。

闪迪的涨价在存储模组产业链引发了震动，使得创见、宜鼎、宇瞻等存储模组厂商暂停出货并重新评估报价。

实际上，从2025年9月以来，三星宣布第四季度DRAM价格上调15%-30%，NAND价格上调5%-10%，其中，企业级固态硬盘（SSD）涨幅高达15~35%，而服务器存储器的RDIMM价格更是上涨40%~50%；美光更是将存储产品价格拉高20%-30%，并暂停报价一周以消化涨幅；群联恢复报价后涨幅约10%，被视为NAND涨价的明确信号。

模组厂方面，南亚科技第三季度合约价格环比上涨70%，预计第四季度还将上涨 50%。华邦三季度合约价格上涨 60%，预计第四季度还将上涨 20%，合约价格将比第二季度的低谷高出 80%至 90%。

为了更好的掌握节奏，原厂过去常用的季度或者年度合约价，被压缩到按月甚至按批次报价，现货市场波动更频繁，议价权明显向上游集中。除了提价，行业供需规则也发生了变化，由于每一块HBM都需针对特定AI GPU定制，客户需提前一年下单锁定产能，这种“定制化+长周期”的订货模式，进一步凸显了其战略价值。

上游涨价后，现货市场反应更为激烈，DDR4芯片半年累计涨幅超200%，出现与DDR5价格倒挂的罕见现象，闪存芯片持续上涨，单单是9月到11月期间，最高涨幅110%，创下十年来的最大涨幅。

颗粒涨价传导到存储成品后，在终端市场上，存储产品价格翻倍。有华强北商家表示，从8月份就感受到所有内存颗粒都有涨价的趋势，涨价也波及手机闪存价格，导致价格每天都不一样，整体一路上涨。

据闪德资讯消息，9月底3200 DDR4 16G内存条的渠道价格200多元，目前已涨到360元左右。在主流电商平台上，一些热销的DDR4 16G内存条价格在350元~520元之间。

固态方面，据慢慢买比价平台，一款致态1T固态硬盘10月初价格540元左右，目前涨到619元，一款三星1T固态硬盘10月底价格599元，现已涨到659元。

在服务器市场，以SK海力士DDR4 64GB 3200内存条为例，9月份的价格约1500元，现在价格已经在3500-3800元浮动，涨价幅度达1.5倍。

无论是原厂多轮调涨、模组厂暂停报价，还是现货市场的剧烈波动，都说明本轮上行周期已不再是传统意义上的库存修复，而是行业供需结构的结构已发生实质性重塑，涨价是行业主要参与者为获取更大收益作出的调整。

经历了近三年的寒冬后，存储行业终于在这一轮涨价潮中重新迎来曙光。但在看似普涨、利润飘红的表象之下，一场围绕供需、库存、产能与价格的全链路博弈，正在整个产业链悄然展开。

模组厂利润暴涨，但真正的博弈在“库存”上。第三季度，多家模组企业交出亮眼成绩，财报显示，诚邦股份第三季度单季净利润同比增长127.95%；佰维存储，第三季度开始扭亏为盈，利润环比大幅回升；江波龙第三季度净利润为6.98亿元，同比暴增1994.42%。

看起来，模组厂似乎成为涨价潮下最大的受益者。但一位模组厂负责人向界面新闻透露，涨价并不意味着稳稳赚钱。“模组厂并非真正的‘涨价受益者’，利润波动更多取决于库存策略。如果前期囤货量大，但终端价格没跟上，反而会被压住。”

也就是说，模组厂的盈利并非来自产业回暖，而是来自提前布局库存的那一部分人。

该负责人认为，短期内不会再出现“两个月涨70%”的疯狂行情；但中长期趋势仍偏强，未来一年价格上涨 50%~80% 仍可能出现。而这并非市场情绪推动，而是结构性供需错配造成的。“晶圆扩产周期往往要三到四年，而AI需求的爆发是突然的，两边节奏根本对不上。”

涨价潮下，存储代理商也开始集体行动。

据界面新闻消息，深圳有资本凑资约5 亿元，大举囤入 8～22TB HDD，并已持有两个月未出手，赌的就是年底前继续上涨。代理商表示，目前行业里约 八成代理商已满仓囤货。”但他也坦言，渠道真实需求并没有明显变好，“销量与往年差不多，顶多持平。价格涨，不是因为需求变强，而是因为供给被大幅压缩。大量产能被拉去生产HBM，下游通用型DRAM、NAND自然缺货。”

而据闪德资讯消息，部分资金紧张的代理商，则选择在价格波动中快进快出，缓解资金周转压力，以跟上涨价潮。这意味着，对代理商而言，本轮行情并不是“生意好”，而是供给缩紧下的价格推涨，他们看的是供给紧缺能持续多久。

随着芯片供应趋紧，下游的终端厂商也面临较大的成本压力。由于几乎所有的智能设备，都离不开存储，对于小型企业来说，囤货成本过高，无货则无法生产，进退两难。而像手机厂商企业，议价空间则明显下降，话语权逐步转向持货者。

由于AI 数据中心对存储产能的巨量拉动，整个产业链正出现罕见的“全品类普涨”：从消费级 NVMe SSD、DDR4 内存条，到企业级存储系统与大容量 HDD，几乎所有品类都在同步上涨。

在这一轮涨价潮中，产业链的受益格局也愈发清晰：原厂因掌握核心产能与定价权，是最大的赢家；模组厂凭借库存策略成为结构性受益者；代理商与渠道商则处在价格波动最大的区间，既可能暴利，也可能被套；而终端企业只能被动承受成本上升。

对于后市，摩根士丹利表示，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。

至于“超级周期”的走势变化，行业普遍关注两个关键信号：

其一，北美AI 资本开支是否放缓。当前生成式 AI 对 HBM、DRAM 与 NAND 的需求持续强劲，只要云厂商仍在扩建数据中心，上涨动力就不会消失。

其二，上游产能是否真正释放。目前原厂普遍维持减产策略，新增产线与先进工艺爬坡都需要时间；只有当产能大规模恢复，而需求增速未能同步时，价格才可能迎来反转。

但从目前的节奏来看，这场由供需错配驱动的涨价周期，仍远未结束。