记忆体平均销售价格（ASP）走升、供应商获利改善，DRAM与NAND Flash原厂在2026年，将持续增加资本支出，但仍显保守，对于2026年位元产出成长挹注有限。

DRAM产业资本支出在2025年预估达537亿美元，2026年成长至613亿美元，年增率14％。

NAND Flash部分，2025年资本支出估为211亿美元，2026年则小幅增长至222亿美元，年增约5％。

TrendForce指出，美光在DRAM投资积极，2026年资本支出估135亿美元、年增23％，主攻1-gamma制程导入以及TSV设备建置。

SK海力士2026年资本支出估205亿美元、年增17％，用于M15x的HBM4扩产；三星2026年投入约200亿美元、年增11％，聚焦HBM 1C制程渗透及P4L小幅增产。

NAND Flash供应商中，铠侠／SanDisk预计投入45亿美元，年增41％，加速BiCS8生产并投资BiCS9研发。

美光2026年目标是微幅增加NAND Flash产能并专注G9制程和enterprise SSD，预计资本支出年增幅达63％。

相较之下，三星和SK海力士／Solidigm则将缩减或限制NAND Flash资本支出，优先将投资转向HBM和DRAM领域。

不过，长江存储，拟跨足DRAM生产，成为全球市场高度关注的变数。

根据相关报道，长江存储已开始兴建第三座晶圆厂，目标于2027年投产；同时正扩增第二座工厂产能，试图在本土化需求与AI算力爆发推动下，抢占更大市场。

长江存储虽主要供应中国市场，但以其扩张速度，两年内可能成为全球第五大、甚至第四大NAND供应商。

此外，长江存储正考虑跨入DRAM，并评估生产可做为HBM基础的DRAM Die。这意味着该公司可能直接切入AI时代最关键的高频宽记忆体供应链，对既有DRAM大厂，形成潜在竞争压力。

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