三星电子、SK海力士、铠侠、美光等四家全球NAND闪存制造商将在今年下半年集体削减NAND闪存的供应量。分析师表示，由于这些厂商一方面通过控制供应来引导价格上涨，另一方面又将生产线转向四层单元（QLC）工艺，以满足人工智能（AI）数据中心带来的强劲需求，因此减产不可避免。

与此同时，三星电子、SK海力士和铠侠正力推提高NAND闪存的价格，而这些闪存的价格在去年一直维持在成本水平。特别是，据称三星电子正在内部评估将价格提高20%至30%甚至更多，同时也在与主要海外客户商讨明年的NAND闪存供应量。

根据市场研究机构Omdia于12日向《朝鲜商业》获取的年度NAND闪存产量数据，三星电子已将今年的NAND晶圆产量目标下调至约472万片，较上年（507万片）减少约7%。铠侠（Kioxia）也将其产量目标从去年的480万片下调至今年的469万片。Omdia预计三星电子和铠侠的减产策略将持续到明年。

SK海力士和美光也采取了保守的减产策略，以应对价格上涨的影响。SK海力士的NAND闪存产量下降了约10%，从去年的201万颗降至今年的约180万颗。美光的情况也类似。美光将其最大的NAND闪存生产基地——位于新加坡的Fab 7工厂的产量维持在30万颗左右，保持着保守的供应策略。

随着主要供应商齐心协力控制产量，NAND产品的平均售价（ASP）也大幅上涨。据海外市场研究公司预测，仅上一季度NAND价格就上涨了15%，未来可能还会上涨40%至50%甚至更多。据TrendForce数据显示，广泛使用的512Gb三层单元（TLC）NAND芯片的晶圆现货价格较前一周上涨14.2%，达到每片5.51美元。现货价格是指分销市场即时交易的价格，价格上涨意味着产品供应更加紧张。

由于基于TLC的NAND闪存产能不足，主要NAND供应商正将重心转向利润更高的QLC而非TLC。QLC和TLC指的是单个存储单元（NAND闪存的基本单元）中存储的比特数。TLC每个存储单元存储3比特，而QLC每个存储单元可存储4比特。在相同面积下，QLC的容量比TLC高出30%，这使其在生产人工智能数据中心所需的大容量固态硬盘方面更具优势。

一位业内人士表示：“在将现有的基于TLC的NAND生产线改造为QLC的过程中（QLC对于人工智能数据中心的SSD至关重要），由于部分TLC NAND生产设备停产，所有四大供应商都出现了自然的减产效应。”他还补充道：“通常情况下，设备和工艺转换期间的产量‘损失’会导致市场价格急剧上涨。”

与此同时，长期以来饱受供应过剩困扰的三星电子和SK海力士，在NAND闪存价格上涨的迹象出现后，纷纷采取措施以实现利润最大化。此前有报道称，总部位于美国的SanDisk公司已于本月起将NAND产品的合约价格上调了约50%。由于担心NAND闪存价格大幅上涨，北美主要科技公司纷纷进行“恐慌性购买”，一些分析师表示，明年的NAND闪存供应量已经售罄。

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