SK海力士正在开发高带宽存储（HBS），将移动DRAM和NAND融合到单个封装中，这种下一代存储器旨在提升智能手机和平板电脑等移动设备的AI性能。

据韩国分析师@Jukanlosreve援引ETnews的一份最新报告称，SK海力士正在研发HBS技术，该技术将低功耗宽I/O（LPWIO）DRAM与NAND闪存堆叠在一起。最多可将16层DRAM和NAND闪存堆叠并通过“垂直线扇出（VFO）”技术互连，从而提高数据处理速度。

SK海力士此前已将LPWIO DRAM商业化，现在正计划通过添加NAND闪存，利用HBS技术构建多层存储堆叠结构。SK海力士实现这一目标的方式是采用VFO先进封装技术，该技术是SK海力士于2023年全球首创，可将每个独立的存储单元垂直连接起来。

这与传统的弧形线键合不同，VFO采用直线连接，从而缩短了所需的布线长度，并最大限度地减少了信号传输损耗和延迟。不仅如此，与传统的平面连接相比，这种垂直互连结构允许更大的I/O连接数，从而提高了数据处理性能。

SK海力士的一位官员解释说：“ VFO是一种创新的下一代封装解决方案。通过将传统的引线键合技术与先进的扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术相结合，我们可以在不使用TSV的情况下最大限度地降低制造成本。”