三星存储产品获CES创新奖

2025-11-08
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据闪德资讯获悉,三星有三款存储产品拿下CES 2026创新奖。

分别是LPDDR6内存、AM9C1 E1.A、M.2 2242版PM9E1 SSD

LPDDR6内存,三星在早期版本中采用了12nm制程工艺,产品数据传输速率为10.7Gbps,提升了I/O通道数量,进一步拓宽了传输带宽。

得益于动态电源管理系统,能效提升约21%。

LPDDR6引入了增强的安全机制来保障数据完整性,应用范围从移动领域扩展到工业和关键任务型AI环境。

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2024年9月开发出了常规版本的AM9C1,采用BGA外形规格,结合第八代V-NAND闪存和5nm PCIe Gen4 NVMe主控。

E1.A版本的AM9C1延续了主体设计,但将主控和NAND闪存拆分为两个独立模块。

AM9C1 E1.A配备车规级连接器和适配器,可承受持续的冲击、振动和温度变化,而可分离式结构能改善散热、延长产品寿命并简化升级更换。

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PM9E1是三星电子旗舰级OEM端PCIe 5.0 SSD产品,采用了最常见的M.2 2280尺寸规格。

特别推出的M.2 2242尺寸版本,荣获了CES 2026创新奖。

PM9E1 M.2 2242是全球首款采用超紧凑型M.2接口的AI优化型PCIe Gen5 NVMe SSD,可提供突破性的性能和空间利用率。

采用三星自研5nm主控Presto和V8 TLC V-NAND闪存,最高容量支持到4TB,顺序读写最大速度分别为14.8GB/s和13.4GB/s。

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