据闪德资讯获悉，韩美半导体正式宣布，计划在2026年下半年推出一款专为下一代HBM设计的宽幅热压键合机（Wide TC Bondor），可适配更大容量DRAM生产需求。

在HBM制造流程中，热压键合机主要功能是为堆叠DRAM芯片时精准施加热量与压力，确保芯片之间稳定连接。

韩美半导体表示，存储行业正朝着提升HBM性能与容量的方向加速探索，其中一个重要方向便是通过扩大DRAM裸片面积来开发宽幅HBM（Wide HBM）产品。

这款新型设备还集成了无焊剂键合技术，能够有效减少HBM整体厚度，进一步适配高端存储产品对轻薄化的要求。

韩美半导体强调：“我们将紧密跟随HBM技术的迭代节奏，争取率先向市场供应集成新技术的宽幅热压键合机，为行业客户提供更高效的生产解决方案。”

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