据闪德资讯获悉，三星考虑扩建HBM生产线以提高产能。

明年HBM产能已被预订一空，并正在收到更多订单需求。

暗示已开始向英伟达供应HBM3E产品。

明年存储器市场的增长动力将继续来自AI领域需求推动。

由于产能正集中投向HBM和DRAM，三星表示面向移动设备和PC供应将受到限制。

由于行业正将传统产线转向先进制程节点，今年下半年传统产品的价格已大幅上涨，导致相关传统产品在未来持续面临供应紧张，影响或将延续至明年。

受AI热潮推动，半导体市场预计将在明年上半年保持强劲，但仍存在关税等不确定性因素。

当被问及英伟达是否已对HBM3E给予最终认证时，三星拒绝置评，但补充说HBM3E的销售正在扩展到所有客户。

此外，三星电子开始供应PM9E1 SSD。

PM9E1是一款专为DGX Spark设计的高性能存储解决方案。

DGX Spark公版搭载了具有自加密功能的4TB M.2 NVMe SSD。

PM9E1结合了三星电子自主研发的5nm主控和第八代V-NAND技术，最大顺序读写速率分别高达14.5GB/s和13GB/s。

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