据闪德资讯获悉，由于AI产业带动存储需求强劲，三星和SK海力士决定继续涨价。

两大原厂已通知客户，将2025年第四季度DRAM和NAND Flash价格上调多达30%。

业内分析，这波涨价潮的主要支撑因素是AI带动的存储需求爆发，在于大型科技公司如Google、OpenAI大举投资AI数据中心，对高容量、高性能DRAM需求正在急速攀升。

预测2030年HBM市场规模将达到1000亿美元，对比今年300-400亿美元攀升三倍。

明年出货的12层HBM4单价达到500美元，对比HBM3E的300美元涨幅达60%以上。

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