据闪德资讯获悉，三星电子10月22日在首尔COEX开幕的半导体博览会 (SEDEX) 2025上展示HBM4内存，比预期更早。

同时，SK海力士也将参展。

VIP参观结束后，普通观众也将有机会亲眼目睹HBM4。

三星电子与SK海力士相关人士均回应：“展示HBM4确有其事。”

HBM4采用多层DRAM芯片垂直堆叠并应用硅通孔（TSV）技术的3D封装结构，相比传统DDR技术具有更高的数据带宽和更低的功耗。

三星电子通过在HBM4上采用1c纳米工艺，再次尝试差异化竞争。

1c是10nm级DRAM工艺，领先1b DRAM一代，电路线宽更窄，性能与能效更高，与采用相对稳定的1b DRAM 的SK海力士形成鲜明对比。

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