据闪德资讯获悉，全新SK海力士DDR5存储芯片曝光，据称代号为“X021”，并带有新的“AKBD”零件编码。

DDR5上还印有“X021”与“AKBD”等。 

X021标示意味是第二代3Gb A-Die芯片，将接替目前用于早期DDR5模组的3Gb M-Die。

目前SK海力士尚未正式公布这款第二代3Gb DDR5 A-Die，但根据过去命名惯例，过去像是EB、GB、HB等代码分别对应4800、5600与6400 MT/s的JEDEC标准频率。

因此，新代号KB可能延续这个规则，并对应至7200 MT/s的原生速度。

新一代存储产品规格也与英特尔的未来平台路线图相呼应。

Arrow Lake Refresh与Panther Lake处理器预期将支持原生DDR5-7200，这比Raptor Lake的DDR5-5600与 Arrow Lake的DDR5-6400又提升一个档次，意味新的A-Die芯片将成为下一代高频DDR5模组的基础，专为新一代英特尔处理器打造。

若要充分发挥最新A-Die AKBD芯片的潜力，模组厂商势必要搭配10层或12层PCB设计，才能真正发挥高频效能。

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