与传统PCBA结构SSD不同，mSSD采用Wafer级系统级封装（SiP）技术，将控制器、NAND、PMIC等核心元件直接集成在单一封装体内，结构创新让SSD从“电路板产品”转向“芯片级产品”，在可靠性与一致性上实现了质的提升。

这种“集成封装”将焊点归零，不仅减少了制造环节中的焊接、贴片、回流焊等复杂工序，也有效规避了传统生产中常见的阻焊异物、高温高湿等问题。据了解，mSSD产品良率大幅提升，DPPM水平从传统的≤1000降至≤100，体现出更高的封装控制力和品质稳定性。

此外，从Wafer到产品的一次性封装完成，精简的制造流程有效地将交付效率提升一倍以上，附加成本下降超10%，显著降低能源消耗和碳排放，切实满足客户降本增效和绿色环保需求。

这一成本的降低并非源于商业手段，而是通过技术创新实现，在确保产品质量的同时有效降低成本。

在20×30×2.0 mm的紧凑封装中，重量只有2.2g的mSSD仍能实现PCIe Gen4×4接口下的主流水平性能——顺序读取最高可达7400MB/s，写入最高6500MB/s，4K随机读取速度最高可达1000K IOPS；4K随机写入速度最高可达820K IOPS，整体性能表现稳定。

速度的提升必然伴随发热的挑战，传统小尺寸SSD（如BGA SSD）常因过热触发温控，导致性能打折。mSSD通过创新的散热结构设计，突破了小尺寸的散热瓶颈，将核心热量快速导出，从而让紧凑的机身也能支撑性能的稳定释放。

具体而言，mSSD通过高导热铝合金、石墨烯与导热硅胶的组合结构，在轻薄形态下仍能维持优异的散热性能和功耗控制，并将其峰值性能维持的时间拉升到行业领先水平。其小尺寸与高性能特征，使mSSD可灵活适配笔记本、游戏掌机、无人机、VR设备等多样化终端，也为未来高集成AI计算设备提供了新的存储可能性。

值得一提的是，江波龙指出这项散热技术还将会继续优化，并延续至未来的PCIe Gen5 mSSD产品中。

mSSD兼顾形态创新与客户端兼容性，采用TLC/QLC NAND Flash，容量覆盖512GB至4TB，并创新配备卡扣式散热拓展卡，可无工具灵活扩展为M.2 2280、2242、2230等主流规格，实现SKU多合一，轻松适配多样化应用。

这种拓展方式的优势在于，仅需为同一mSSD介质配置不同的固件、散热器或外壳，即可快速衍生出多种形态的SSD产品。

相比接口非标准、SKU繁多或on board产品维护不便的传统方案，mSSD集成封装设计让扩展、替换更便捷、维护成本更低。

产品供应至客户端后，可通过彩喷或UV打印机完成DIY定制信息喷绘，随时组装和零售包装，落地“Office is Factory”理念，使客户端无需高额投入即可快速实现SSD生产与个性化定制，显著提升效率和市场响应速度。