据闪德资讯获悉，新思科技宣布，LPDDR6 IP已在台积电N2P制程完成芯片上机测试（silicon bring-up），象征新一代低功耗行动内存技术迈入关键验证阶段。

在测试中实现了86GB/s带宽，符合国际半导体标准协会（JEDEC）最新LPDDR6规范，显示此技术已能在先进制程环境中稳定运作。

目前市场主流仍以LPDDR5/LPDDR5X为主要规格，应用于智能手机与笔记本平台。

存储颗粒由三星、SK海力士、美光等原厂制程生产，主打高速与低功耗特性。

LPDDR6是由国际半导体标准协会JEDEC制定的新一代行动内存标准，传输速率最高可达14.4Gb/s，能大幅提升AI手机与边缘设备的数据处理效率。

新思科技表示，LPDDR6 IP可支持每脚位速率10.6Gb/s，理论峰值可达14.4Gb/s，比LPDDR5提升超过30%。

作为对比，LPDDR5起步速率为6400Mbps，LPDDR5X提升至8533Mpbs，SK海力士LPDDR5T可达到9600Mbps。

借助台积电N2P制程的高密度与低功耗特性，有望应用于人工智能手机、边缘计算装置以及轻薄笔记本电脑，成为支撑设备端人工智能运算的新基础。

新思科技与台积电在N2P节点上完成LPDDR6 IP验证，意味着SoC厂商能够更快地导入新一代内存标准。

LPDDR6技术仍处于IP验证阶段，预计2026年正式导入商用平台。

随着新思科技与台积电持续拓展先进制程IP布局，移动内存标准正迈向10Gb/s时代。

三星已确认首款LPDDR6内存已经在开发中。

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