据闪德资讯获悉，三星电子代工部门为存储器部门制造的4nm工艺HBM4逻辑芯片（Logic Die），良率已超过90%。

正为英伟达、AMD等客户供应HBM4样品进行大规模生产，代工部门已将逻辑芯片产量提升至4nm生产线总产能的一半左右。

三星电子在HBM4上采用了1cnm DRAM Die搭配4nm Logic Die。

台积电目前提供高性能HBM Logic Die方案，基于5nm制程节点。

半导体工艺越精细，性能和能效越高，三星电子4nm工艺在HBM4发展上具有潜在优势。

业界认为从HBM4E开始，定制HBM业务将正式启动，要求具备在逻辑芯片上设计满足客户多样化需求电路的代工工艺能力。

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