据闪德资讯获悉，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，2026年DRAM供应局面将比现在更为严峻。

HBM对晶圆的消耗约是传统DRAM产品的三倍，三大原厂大量产能投入到HBM上，使通用DRAM产能受限。

建设新的DRAM晶圆厂所需要的时间和金钱成本上升，短时间内难以大规模扩产。

这两方面因素共同导致2026年供应紧张局面加剧。

美光计划在2026年将小批量出货HBM4，有望在HBM领域实现高于2025年的市场占有，向HBM市占齐平整体DRAM的目标再进一步。

美光观察到从智能手机到汽车等整体产业平均DRAM搭载数量在提升，尤其车载产品方面，美光将与客户合作重新审视更高的定价水平。

至于DDR4，为满足客户需求，美光决定稍微延长生产时间。

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