据闪德资讯获悉,大规模的人工智能基础设施建设给整个半导体供应链带来了巨大压力,而 NAND 存储器是一个经常被忽视的组件。群联电子首席执行官潘健成表示,NAND 闪存短缺可能会持续整整十年。
潘健成警告称,即将到来的 NAND 闪存短缺预计将于 2026 年开始,并可能持续整个未来十年。这一说法比我们以往见过的任何情况都要高得多,这些情况通常只持续一两年。潘健成在最近的一次采访中表示,人工智能驱动的存储需求激增,加上近期对闪存容量的投资有限,导致内存市场走上了一条周转时间延长的道路。
潘健成将这主要归咎于之前的投资后遗症。他认为,在经历了之前巨额支出导致价格暴跌的周期后,许多闪存制造商撤出,减缓了扩张。他指出,从 2023 年左右开始,很大一部分资本被重新投入到用于模型训练的高带宽内存中,因为那里的利润率更具吸引力。因此,就在需求开始回升之际,NAND 却没有受到太多关注。他还强调了云运营内部从训练向推理的转变,并补充说,推理工作负载和模型存储对 NAND 闪存的需求巨大且持续。作为 SSD 的主要控制器设计者之一,这位群联电子的首席执行官对需求走向了如指掌,比公众提前了好几个季度。这一趋势已经改变了供应商的战略和采购策略。将闪存更靠近内存总线的新型存储模块不断涌现,库存面临压力,一些供应商已开始提高价格或冻结折扣。Pua 预测,随着容量增长和价格与目前交付周期较长的硬盘驱动器趋同,SSD 将占据更大的大容量存储份额。如果他十年来的预测被证明是准确的,那么数据中心将需要持续的容量建设和对存储基础设施的资本重新分配。我们不禁要问,供应商能够以多快的速度扩大产量,以及弥补潜在长期差距的投资将从何而来。建造一座晶圆厂并非易事,而且目前尚不清楚,在能够从 HBM 内存领域获得更高利润的情况下,NAND 制造商是否渴望扩大产能。
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