国庆假期结束，国内存储市场表现活跃。
DRAM市场价格大涨，势头比较疯狂。NAND Flash市场看涨情绪居多。
正如一个月前的判断，闪德君当时判断内存市场开始反弹，闪存市场出现积极信号。
上游原厂拉开本次行情的序幕，闪迪、美光、三星等喊出涨价的声音，带动市场火热。
随着供应链的传导，本周来到存储模组厂，一些厂商暂停了报价，可能要暂停一周时间。
DDR4的报价有效期已经缩短到不到1个月，可能会频繁变化。
另外，据了解为保证供应，模组厂管控库存，并且调整配售方式。
与此同时，在资本市场，美光科技近期涨了50%，闪迪更疯涨100%。
三星电子市值在第三季度增加了40%，SK海力士市值也增加了20%。
国内厂商，江波龙市值达到780亿，佰维存储逼近500亿，德明利达到470亿。
值得关注的是，AI带动需求激增，OpenAI已经和两大原厂三星、SK海力士签下供应合同，每月大概90万片晶圆。
分析认为，90万片相当于三大原厂目前产能的57%。1片晶圆生产430个芯片，良率60%，每个芯片32GB，平均每GB价格13美元，年收入达到1450亿美元。
按照估算，这个需求规模相当于三大原厂2025年总收入的110%左右，如果按照服务器DRAM计算，相当于三家DRAM收入的总和。
这可能导致资本支出更倾向DRAM业务，NAND领域投入会受到影响。
具体产品来说，DRAM产品出现短缺，看涨预期增强。
SSD产品价格缓涨，询单量明显增多。
固带晶圆原厂合约价持续上调，出现惜售现象。
USB市场延续上涨走势，上行趋势明确。
整体上，市场供应有些紧张，涨价速度过快，后市比较乐观。参与者库存持续减少，市场节奏变动较快，需要随时留意观察。
注意：以下市场价格波动较快，以实际成交价格为准。
SSD固态市场
经过国庆长假过后，市场进入活跃状态，询盘量明显增多。
不少终端客户虽有订单需求，却因价格波动太快而持单观望。
目前市场整个盘面往上走，其中SSD价格处于缓涨态势，市场看涨情绪持续升温，而内存市场涨疯了。
NAND晶圆供应持续紧张，SSD价格预计将维持坚挺。
保持合理库存，留意原厂动作。
本周NVME3.0大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在1%-5%左右。
本周NVME4.0大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在1%-4%左右。
本周SATA3.0市场报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在2%-17%左右。
DRAM内存市场
本周DRAM市场价格全线大涨，现货颗粒供应趋于紧张，市场出现明显短缺。
中下游贸易商库存持续走低，部分已接近见底，此前常见的低价货源已难寻踪迹。
由于市场涨价过快，一些品牌商尝试多方寻找新的合作渠道，以分散采购风险。
从节后市场情绪来看，买家询价活跃，看涨预期增强，短期内价格仍有进一步上行动力。
多数商家对后市持乐观态度，普遍认为跌价风险较低。
FLASH颗粒市场
本周Flash Wafer固带晶圆原厂合约价持续上调，原厂优先配置DRAM产能，使NAND被动承受产能压缩，市场难寻获优势货源。
在市场涨价、缺货信号下，出现控货惜售现象。
中下游贸易商和模组厂的库存水位已降至低位，补库困难。
在供应无实质性改善的情况下，短期或将维持涨势。
USB市场/TF卡市场
本周USB市场价格延续上涨走势。节后市场询盘活跃，受原厂晶圆拉涨，下游只能跟着节奏来。
市场低价库存已清空，而采用Good Die替代的方案成本过高，导致整体价格水平被进一步推高。
市场上行趋势明确，至于价格顶点在何处，密切留意市场动态。
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本周PCBA大致报价，除16G-32G容量不变、128G下跌2%，其它容量呈上涨态势，涨幅区间在2%-4%左右。
本周UDP大致报价，除16G容量不变，其它容量呈上涨态势，涨幅区间在1%-18%左右。
本周USB3.0市场大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在1%-10%左右。
本周TF卡市场大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在3%-13%左右。
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