据闪德资讯获悉，美光科技凭借行业领先的11Gbps速度，在HBM4竞赛中遥遥领先。

美光HBM4突破挑战SK海力士和三星的主导地位，扩大AI存储市场竞争。

美光宣布HBM4实现了业界最高速度。

尽管业界曾普遍认为，由于无法满足英伟达的要求，美光将在HBM4的竞争中落后。

美光透露，已向客户交付了HBM4样品，并实现了业界领先的11Gbps速度。

英伟达要求HBM4速度超过10Gbps。

三星电子采用领先一代的1c DRAM生产HBM4，并使用4纳米先进晶圆代工技术制造HBM的最底层—Base Die。

SK海力士将Base Die的生产外包给台积电。

美光采用自主研发的DRAM和Base Die技术开发HBM4，更注重低功耗而非速度，因此外界猜测美光公司难以满足条件。

然而，美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“我们已经准备好了一款能够提供超过11Gbps 速度（业界最高水平）的产品，同时还能实现最佳的能效。” 

计划明年第二季度开始量产 HBM4，下半年全面投产。

到2026年，HBM市场份额将超过今年。

虽然美光的量产时间表晚于三星或SK海力士的预计，但业内分析，美光提前进入HBM4市场将产生重大影响。

“如果美光的声明属实，那么它很可能优先考虑速度，而不是之前强调的低功耗性能。HBM4的竞争曾经是SK海力士和三星之间的双赢，而现在将加剧为SK海力士、美光和三星之间的三方竞争。”

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