据闪德资讯获悉，三星电子此前受通用DRAM需求疲软、价格下跌冲击，针对今年下半年至明年行业上行周期，增加DRAM晶圆投入量。

三星三季度末投入量预计达193万片（三季度合计），较一季度增加5%，平泽工厂四季度产能或达峰值，明年单季度产量有望破200万片。

SK海力士为应对HBM与通用DRAM需求，启动最大产能，今年单季度晶圆投入量稳定在150万片级别，年内将接近160万片最大产能。

但因龙仁半导体集群竣工前无足够扩产土地，扩张速度慢于三星。

三大原厂将部分产能转向HBM，致服务器、PC、移动设备等领域DRAM价格上涨。

8月PC级DDR4 8Gb DRAM价格环比上涨46.15%；自3月底起5个月内涨幅超4倍，已连续5个月上涨。

当前三星与SK海力士DDR5库存极低，进一步助推价格。

三星计划借10纳米1c工艺DRAM工艺，争夺市场份额。

结合行业观点，供应短缺或持续至明年，行业重心转向提升利润率。

预计2026年通用DRAM价格同比上涨，周期指标或2027年前后达峰值，行业运行逻辑发生变化，全球范围内普遍出现供应短缺现象。

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