据闪德资讯获悉，三星电子在推进V9 QLC NAND Flash商业化过程中，遭遇了严重的技术瓶颈。

业内透露，三星电子V9 QLCNAND商业化过程中，初期产品出现性能下降，问题源于设计层面。

为解决性能瓶颈，三星正积极进行设计和制程端的改进工作，业界预计最快2026年上半年完成。

为配合未来量产，三星计划扩大V9 NAND生产能力，在韩国和中国两地已小规模导入V9 NAND生产线，预计总生产能力将提升。

V9 QLC NAND对三星高附加值内存业务至关重要，当前NAND市场因AI发展正经历结构性转变，高容量产品需求爆发式增长。

在QLC NAND市场，三星主力产品仍停留在V7，V8 NAND未推出QLC产品，致使在细分市场处在相对劣势地位。

三星V9 NAND采用280层堆叠设计。

2024年4月已成功量产首批1TB V9 TLC NAND产品，9月宣布将量产V9 QLC NAND产品。

相较于TLC，QLC NAND在实现更高容量存储设备方面优势明显，是满足现代数据中心和AI应用海量数据需求关键技术。

业界人士指出，在全球大型科技公司投资及现有成熟NAND替换需求推动下，QLC NAND重要性不言而喻。

三星电子若想从中受益，必须确保先进产品能够稳定扩大生产，克服V9 QLC NAND技术挑战，才能抓住AI时代市场机遇，在高容量NAND市场重立领先地位。

三星未来数月改进成果备受业界关注。

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