据闪德资讯获悉，SK海力士宣布已将存储业界首款量产型High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）EXE:5200B，引进韩国利川M16工厂，并举行了设备入厂庆祝仪式。

High NA EUV拥有比当前EUV更高的数值孔径，可大幅提升分辨率，能够绘制当前最微细的电路图案，预计将在缩小线宽和提升密度方面发挥关键作用。

半导体制造公司为了提升产品性能和生产效率，微细制程技术的优化显得尤为重要。

电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时也能有效提高能效与性能。

引入该设备为快速开发和供应满足客户需求的先进产品奠定基础，同时通过与合作伙伴密切合作，加强全球半导体供应链的可靠性与稳定性。

2021年首次将EUV引入10nm级第四代（1a）DRAM以来，不断扩大EUV在先进DRAM制造中的应用。

此次引进的TWINSCAN EXE:5200B首款量产型High-NA EUV设备，EUV光波长13.5nm，分辨率达8nm。

与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，光学性能（NA 0.55）提升40%，够制制作精密度高达1.7倍的电路图案，密度提升2.9倍，为SK海力士下一代存储器开发上提供强大助力。

SK海力士表示，设备引入为实现未来技术愿景提供核心基础设施，公司将开发人工智能和下一代计算市场所需的先进存储，引领人工智能存储市场先进技术。

M16厂2021年建成，主要生产DRAM产品，总面积5.7万平方米，相当于8个足球场，长335米、宽163米、高105米，是SK海力士生产设施中规模最大的Fab工厂，目前有十多台EUV。

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