据闪德资讯获悉，SK海力士宣布，321层2Tb QLC 1 NAND闪存产品已完成开发并开始量产。

此举标志着全球首次采用QLC技术实现300层以上的存储密度，树立了NAND密度的新标杆。

公司计划在完成全球客户验证后，明年上半年正式发布。

为了最大限度地提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一款2Tb的设备，容量是现有解决方案的两倍。

为了解决大容量NAND闪存可能带来的性能下降问题，将芯片内独立操作单元（Plane）的数量从4个增加到6个。

这实现了更强大的并行处理能力，并显著提升了同步读取性能。

因此，与之前的QLC产品相比，321层QLC NAND不仅容量更大，性能也更上一层楼。

数据传输速度提升一倍，写入性能提升高达56%，读取性能提升18%。

写入功率效率提升超过 23%，增强了低功耗至关重要的AI数据中心的竞争力。

计划首先将321层 NAND应用于PC SSD，然后再扩展到数据中心的eSSD和智能手机的UFS。

SK海力士凭借专有的32DP技术（该技术可在单个封装中同时堆叠32个NAND芯片），通过实现两倍的集成密度，进军AI服务器的超大容量eSSD市场。

SK海力士表示：“随着量产的启动，我们显著增强了高容量产品组合，并确保了成本竞争力。我们将作为全栈AI存储供应商，实现重大飞跃，以满足AI需求的爆炸式增长以及数据中心市场对高性能的要求。”

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