据闪德资讯获悉，原厂三星、美光和SK海力士积极投入10nm级先进DRAM制程研发与投资。

SK海力士加速推进1c（第六代10nm级）DRAM技术，计划将EUV曝光层数提升至六层，以进一步提升产品性能与良率。

三星宣称成功突破1c DRAM良率门槛，良率超过50%。

美光今年2月已向英特尔与AMD等主要客户送交1γ DDR5样品验证。

SK海力士去年便完成1c制程DDR5研发，领先对手进入先进制程阶段。

EUV波长仅13.5纳米，可刻划更精细电路图案、减少多重曝光步骤，对提升DRAM密度、速度与能效至关重要。

SK海力士此举意味着更多关键制程将采用该技术，可提升生产良率与线路制作精细度和稳定性。

美光送样1γ DDR5仅采用一层EUV光罩，降低成本。

随着1c制程与EUV技术不断成熟，有望催生高性能DDR5产品，满足HPC、AI服务器及数据中心等领域需求，推动高端PC与工作站性能升级。

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