据闪德资讯获悉，三星电子和SK海力士在10纳米级第六代（1c，11-12纳米）DRAM业务上采取了不同的战略。

三星电子已迅速投资设备。

SK海力士正在与英伟达等主要客户进行洽谈，确定明年的供应量，并计划在盈利能力得到保障后加大投资。

三星大量采购下一代DRAM设备，但SK海力士仍保持谨慎。

随着每一代DRAM不断更新，制程工艺也越来越精细，电路线也越来越窄。

这使得存储器公司能够缩小半导体尺寸并提高集成度，从而提升性能和能效。

目前，三星电子、SK 海力士、美光等公司，正以10纳米级第四代（1a，14纳米）和10纳米级第五代（1b，11-12纳米）DRAM作为主要产品展开竞争。

预计从明年开始，1c DRAM领域竞争将更加激烈。

据透露，三星电子从第一季度陆续订购1c DRAM制造设备。预计上半年建立生产线，年内全面量产。

SK海力士最早第三季度开始订购设备，明年开始全面量产1c DRAM。

三星电子一直专注抢在SK海力士之前量产1c DRAM，弥补1a和1b等前几代产品所犯的错误。

近年来，三星电子努力解决DRAM质量问题，甚至对已经量产的DRAM进行重新设计。

这导致通过堆叠DRAM制造的HBM出现质量问题，三星也举步维艰，33年来首次将DRAM市场霸主地位拱手让给SK海力士。

三星电子计划将采用1c工艺DRAM应用于HBM4。

SK海力士将上一代1b DRAM应用。

三星电子在HBM市场远远落后于SK海力士，此次大胆采用领先一代的DRAM。

三星电子对1c DRAM的抢先投资引发了担忧。

如果技术稳定下来，SK海力士市场地位可能会受到威胁。

如果三星电子发起攻势，在产能和劳动力部署方面优势将凸显，而SK海力士会受到削弱。

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