据闪德资讯获悉，三星电子第二季度HBM销售量增长30%，HBM3E在HBM总量占比扩大至80%以上。

预计下半年HBM3E销售额比例达到90%以上。

技术研发层面，成功完成1c（第六代10纳米级）工艺HBM4开发，并已向主要客户交付样品。

计划扩大1c工厂投资，为明年HBM4增长做好准备。

客户对下一代混合键合技术兴趣浓厚，正就量产进行技术探讨。

同时为争取英伟达订单，三星正积极压低HBM3E生产成本。

HBM3E供需状况将改变，因供给增速超需求，预计冲击市场价格，下半年通用DRAM价格上涨，与HBM3E利润差距将快速缩小。

三星HBM业务取得进展，获AMD采用，但尚未打入英伟达供应链，无法与SK海力士竞争。

预测三星会推出低成本HBM3E，使竞争对手降价，借此争取到更大市占率。

此前传出三星与英伟达洽谈12层堆叠HBM3E供应GB300 Blackwell Ultra事宜，若成为第三家12层HBM3E供应商，英伟达势必能对SK海力士、美光取得价格谈判优势。

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