据闪德资讯获悉，国内厂商正快速追赶三星电子和SK海力士等企业，但随着美国半导体行业对中国制裁加强，DRAM市场扩张势头面临诸多阻碍。

原本计划大规模投资，今年年底月产能达30万片，现因制裁，产能预计较最初预期减少10%以上，可能降至每月25万片左右，目前月产能约20万片。

通过低成本量产攻势，增加DDR4市场份额，加快DDR5量产。

预测今年全球DRAM市场出货量占比为7%，到2027年增至10%。

国内厂商正在以惊人速度追赶竞争对手，在通用DRAM市场形成强势竞争，开始进军HBM领域。现在正在开发HBM3产品。

受美国出口限制政策影响，未来获取先进生产设备将面临挑战。

美国将HBM指定为出口限制项目，加上大量工程师退出，先进DRAM量产所需外国设备进口受限，产能扩张预计放缓。

尽管中国企业推动半导体设备本土化，但短期难以摆脱国外半导体制造设备。

未来能否突破设备技术瓶颈，将成为影响全球市场地位关键变量。

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