据闪德资讯获悉，三星电子预计在16层HBM应用混合键合技术。

一旦HBM超过16层，现有热压（TC）键合将无法实现，准备引入混合键合技术。

HBM是将多个DRAM垂直堆叠，以提高数据处理速度半导体，TC键合DRAM过程，必不可少的设备。

混合键合技术能够消除微凸块（焊球），直接将DRAM连接到铜，减小HBM厚度。

三星电子表示，在第7代16层HBM4E同时采用TC键合和混合键合，在第8代20层HBM5全面引入混合键合。

目前最新商业化产品是12层HBM3E。

当间距小于15微米时，必须转向混合键合技术，该技术还具备散热良好优势。

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