据闪德资讯获悉，国产存储器半导体公司长鑫存储(CXMT)和长江存储科技(YMTC)在短短一年多的时间里

将产能提高了近一倍，从而加强了其在全球存储器半导体市场的影响力。

从传统 DRAM 开始，国产存储器产品开始在通用 DRAM 市场斩露头角，而自去年以来，该市场一直由三星电子和 SK 海力士主导。在国内市场需求和政府补贴的推动下，国产存储器产品正不断提升竞争力。此外，中国存储器产品还在高带宽存储器(HBM)和 300 级3D NAND 闪存等尖端产品领域不断挑战，缩小与三星电子和 SK 海力士的差距。

据朝鲜经济 21 日获得的市场研究公司 Omdia 的最新报告显示，中国长鑫存储(CXMT)的DRAM 产能(以晶圆投入量计算)今年第三季度较去年同期(42万片)扩大约70%，达到72万片。按年计算，预计今年长鑫存储的 DRAM 晶圆产量将从去年的 162 万片增至 273 万片。

就在两三年前，长鑫存储在全球 DRAM 市场的份额还小到无法量化，但短时间内却实现了产线和出货量的快速增长。根据 Omdia 对明年出货量的预测,长鑫存储的 DRAM 出货量有望逼近行业第三大公司--美国美光。正因如此，有人预测，现有的 DRAM 三巨头(三星电子、SK 海力士、美光)未来将重组为四巨头。

长江存储快速护张 NAND 闪存产能也导致市场供应过剩。尽管三星电子、SK 海力士、铠侠和美光等主要厂商因 NAND 闪存价格下跌而持续减产，但长江存储自去年第一季度以来一直在快速提升其位于中国武汉二号工厂的产量。今年第二季度，长江存储武汉二号线的 NAND 产能为 13万片晶圆，较去年同期(6 万片)增长了一倍多。长江存储的 NAND 整体产能也较去年同期增长了42%。

两家公司正在扩展其产品组合，不仅涵盖通用存储器和传统存储器，还涵盖尖端产品线。长鑫存储也在以 SK 海力士为主导的高带宽存储器(HBM)市场取得了超预期的进展。长鑫存储计划在今年年底前完成第四代 HBM 产品 HBM3 的量产认证流程。

一位半导体设备业内人士解释说:“长鑫存储正在积极扩建其在北京和合肥的工厂，预计未来还将投资 HBM 封装设施。长鑫存储的内部目标是在两年内实现第五代HBM(HBM3E)的量产这是 SK 海力士和美光主导的尖端产品。”

长江存储还在通过增加 3D NAND 闪存的层数来取得进步。层数越高，NAND 的性能就越好。就像建造高层公寓一样，随着层数的增加,可以存储和处理更多的数据。目前,量产 NAND 中层数最高的是 SK 海力士的 321 层,其次是三星电子的 286 层和长江存储的 270 层。虽然它仍然低于三星电子或 SK 海力士，但它正在追赶它们，使其达到相似的水平。市场研究公司TechInsights 评估称，长江存储取得了显著进步，在芯片尺寸和每平方毫米(mm) 容量等 NANL性能指标上达到了 20.47 干兆位(Gb)/mm。

与此同时，NAND市场全年都面临供应过剩的困境。据估计，尽管三星电子长期处于减产状态，但其 NAND 业务在今年第二季度仍出现亏损。其他存储器公司的盈利能力也因价格持续下跌而恶化。市场研究公司TrendForce 此前已将其NAND 闪存年度需求增长率从 30%下调至10-15%。