据闪德资讯获悉，三星电子成功开发出采用10nm级第六代（1c）工艺的DRAM，预计很快将开始量产。

在开发过程中，DRAM开发实验室指出设计问题，并进行了最后的重新设计，而在这个过程中产生了一些摩擦。

据透露，1c DRAM的性能和良率低于预期的原因就是设计问题，彻底重新设计是不可避免的。

三星在去年10月完成1c DRAM开发、确保良率的过程中，通过生产普通产品成功确保了首次良率，但由于难以确保全面量产所需的良率水平，因此无法继续推进。

领导DRAM开发实验室的负责人提出批评，称如果在设计阶段没有进行适当的改革，那么下一步的进展将非常困难。

虽然问题出在1c DRAM的设计阶段，并决定重新开始追求完美的设计，但公司内部却出现了这样的反应，本该是一场灾难的事情已经发生了。

过去有很多情况是设计部门与后续制造、量产阶段相关的团队配合不好，或者不接受设计团队提出问题的可能性，从而无法指出问题。

因此，这次设计相关人员和部门的工作方式确实需要反思和改进。

设计内部存在着相当大的反对声音，也存在着各种冲突。

三星正在开发1c DRAM的HBM4，计划下半年量产。

希望能够领先于SK海力士，后者已利用1b DRAM开发出HBM4。

SK海力士3月份向客户提供HBM4样品，计划下半年开始量产，并计划用1c DRAM开发HBM4E。

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