韩美半导体提出，针对下一代高带宽内存HBM4和HBM5热压键合机（Thermal Compression Bonding、TC键合机）市场占有率目标为95%以上。

从去年至今，英伟达采用HBM3E，占TC键合机市场90%以上份额，HBM4和HBM5都可用TC键合机制造。

下一代HBM因层数增加，需引入将DRAM连接到铜上混合键合设备替代TC键合机，但韩美半导体并不看好。

混合键合机价格高达1000亿韩元以上，是TC键合机价格两倍多，预计客户在HBM4和HBM5生产中不会选择混合键合机。

预计混合键合机将在HBM6应用，计划2027年底推出相关产品。

用于去除DRAM接合清洗物质（助焊剂）下一代工艺中使用无焊剂键合机，计划最快在年内推出。

随着全球AI及HBM市场增长，高端键合机需求将大幅增加，同时韩美半导体正在积极投资技术开发和产能扩大。

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