据闪德资讯获悉，由于SK海力士3月份发送的HBM4样品被确认为早期版本，由于代际变化，资格测试时间预计会比HBM3E更长。

SK海力士今年年初向主要客户供应的HBM4样品，被发现是需要经过多个阶段的早期版本。

这与上一代HBM3E有所不同，后者的样品是在接近完成时才发送的。

SK海力士2023年8月向客户发送HBM3E样品，2024年3月开始量产。

从样品供应到量产耗时七个月。

HBM3E具体何时通过质量测试尚未确认，但考虑到HBM4是需要修改的早期版本，预计耗时将超过七个月。

随着代际转换，技术难度的增加也被指出是延长质量测试周期的一个因素。

HBM4 的输入/输出 (IO) 端子数量为2048个，是HBM3E的两倍。

这是该代际中逻辑芯片（基底芯片）首次在代工厂生产。

SK海力士计划采用台积电的先进工艺生产逻辑芯片，提高数据处理速度和功率效率。

从初期开始安装、测试，需要花费大量时间，IO数量翻倍等变化较多，也不容易。

SK海力士解释，“我们并没有像HBM3E那样完成开发并发送样品，现在世代正在发生变化，所以只发送了HBM4的早期样品。”

与此同时，三星电子正集中全部力量生产HBM4样品，美光上个月也提供了样品。

三星电子计划将1c DRAM（10nm级第六代DRAM）应用于HBM4，6月底获得了1c DRAM PRA。

然而用于HBM4的1c DRAM仍在开发中，据说良率波动较大。

SK海力士使用1b DRAM（10nm级第五代DRAM）开发HBM4。 

美光表示：“通过此次样品，美光进一步巩固了在人工智能应用的内存性能和功率及效率方面的领导地位。”

美光在SK海力士之后仅三个月就提供了HBM4样品。

随着HBM在整个存储器市场的地位不断提高，三家存储器公司之间的竞争也愈加激烈。

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