据闪德资讯获悉，摩根大通发布存储市场研究报告，HBM市场在供需紧张、技术迭代与AI需求共同作用下持续扩容，供需紧张态势将延续至2027年。

2026-2027年供应过剩情况逐步缓解，渠道库存增加1-2周。

技术正常迭代HBM供应量2026年大幅提升，占比30%，2027年HBM4与HBM4E合计总位供应量超70%。

随着产品向HBM4E/HBM5迭代，贸易损失率提升加剧供需紧张，预测市场规模（TAM）2026年同比增长超70%，占DRAM总TAM的45%、总存储位元需求的10%。

HBM需求在2026年放缓后，2027年因Vera Rubin GPU和AMD MI400重新加速。

2024-2027年，ASIC、英伟达、AMD的需求复合年增长率超50%，英伟达在2025-2027年占比超60%主导需求增长。

HBM定价层面，因三星激进策略引发讨论，基本假设供应商价格折扣与每比特成本降幅相当，约每年6%-7%。

HBM4因逻辑芯片成本和更高芯片损耗，比12Hi HBM3E有30%-40%价格溢价。

逻辑芯片成本占比高，采购策略是存储制造商HBM4产品策略关键差异化点。

市场格局上，三星HBM认证延迟致份额下滑，美光因扩产抢占份额，2026年SK海力士营收份额小幅下降，美光份额增幅超同行。

HBM4产品方面，SK海力士份额仍领先。

HBM推动DRAM进入5年上行周期，2025-2030年DRAM复合年增长率3%，原厂开支持续增长，HBM支出虽增速放缓但仍增长，市场看好SK海力士和美光，维持HBM长期增长积极观点。

点击此处关注，获取最新资讯！