据闪德资讯获悉，三星电子第二季度末削减了12层HBM3E的产量。

原本计划在年中向英伟达供应，但随着谈判的拖延，下半年需求不确定性加剧。

三星已恢复保守的经营政策，降低库存骤增的风险。

据透露， 12层HBM3E量产线的开工率降至一半。

第二季度12层HBM3E的产量预计平均每月7万至8万片。 然而，在第二季度末大幅减少了晶圆投入，目前产量为每月3万至4万片。

由于HBM4市场预计明年上半年启动，三星电子保持保守的生产立场。 

及时实现HBM4的商业化也是重要任务。

三星电子正专注于HBM4的核心芯片，1c（第六代10纳米级）DRAM的开发，并已开展修改部分电路提高稳定性等工作。

预计HBM用1c DRAM第三季度获得PRA（量产批准）。

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