据闪德资讯获悉，三星电子正在考虑，重启暂停两年的平泽5号工厂（P5）建设。

该公司最近在HBM和下一代DRAM技术方面的改进，以及未来几年AI芯片市场爆炸式增长的前景，促使公司计划进行资本支出。

业内人士称，三星正在就重启P5的建设和投资进行密切谈判。

部分员工已被派往现场整理建筑材料，预计最早10月大型设备将全面到位。

P5是三星设备解决方案部门在平泽园区建造的第五家半导体工厂。

这个超大设施的面积约为650米x195米，预计需要超过30万亿韩元的投资，并作为DRAM、NAND闪存和代工厂芯片制造生产线运营。

三星2023年开始P5基础建设，但去年初因存储市场低迷而突然停工。

当时半导体部门营收同比下降32.3%，出现14.88万亿韩元运营亏损，且技术能力薄弱，无法继续投资。

近期三星在第六代10纳米级DRAM和第五代HBM3E等核心产品，重新获得了技术优势，促使三星在年内考虑重启P5。

特别是对AI芯片需求持续增长的预期，预计AI半导体市场将从2022年的411亿美元，扩大到2028年的1330亿美元。

三星计划从2026年3月建设V10 NAND闪存生产线，试生产稳定后10月开始量产。

V10 NAND闪存基于V9增加100多层，在ISSCC公布的规格中，TLC单元密度达到28Gb/㎟，比之前型号提高56%，I/O接口速度为5.6GT/s，提升75%。

三星作为全球最大的NAND闪存生产商，凭借V10的传输速度和性能的提高，有望在企业级固态硬盘（eSSD）产品中占据主导地位。

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