据闪德资讯获悉，三星电子和SK海力士今年下半年开始投资设备，扩大DRAM产能。

据分析，此举加速 DRAM 供应，尤其是在DRAM市场复苏，并确保HBM4所需的DRAM产能。

预计半导体设备供应商，例如Wonik IPS、Eugene Tech、PSK和Joosung Engineering，将受益。

据透露，三星电子计划下半年在平泽4号工厂（P4）投资，达到每月至少6万片晶圆的产能。

SK海力士计划11月左右在新建的清州M15X工厂投资，达到每月约9万片晶圆的产能。

与此前因DRAM产业低迷而专注于先进工艺转换投资不同，随着新投资的进行，韩国半导体设备行业的供应预计将扩大。

下半年，三星电子将专注于10纳米级第六代（1c）DRAM，SK海力士将专注于10纳米级第五代（1b）DRAM。

三星正在考虑明年将成为主力产品的HBM4市场。

三星电子计划将1c DRAM用于12层HBM4产品，而SK海力士计划使用1b DRAM。

此前将HBM市场拱手让给SK海力士的三星电子，全力以赴提高1c DRAM的良率和性能。

DRAM产品随着供应短缺加剧，需求反而增加了，从而加速了客户库存的消耗。

与过去利润主要集中在参与HBM封装的后端工艺半导体设备公司不同，预计前端工艺公司也将开始积极供应设备。

Wonik IPS、Eugene Tech和Juseong Engineering供应沉积设备，这些设备将所需材料以薄膜形式沉积在半导体晶圆上，使其具有电气特性。

PSK供应用于去除在晶圆上绘制电路的光刻工艺中，使用的光刻胶设备。

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