据闪德资讯获悉，继去年之后，长鑫存储计划今年大幅增加DRAM出货量。

尤其是在DDR5和LPDDR5市场，预计将迅速提升市场份额，而这两个市场此前一直由三星电子、SK海力士和美光等大公司主导。

据Counterpoint Research预测，今年DRAM出货份额将从第一季度的6%扩大到年底的8%。

正在扩大产能，今年产能预计将达到每月30万片，比上一年增长近50%。

加速从DDR4和LPDDR4等传统（成熟）内存向DDR5和LPDDR5等先进内存的过渡。

增长也反映在出货量上，在DDR5和LPDDR5的市场份额在第一季度不到1%，预计在第四季度将上升至7-9%。

不过在先进DRAM制造所需的HKMG工艺方面遇到了困难 。

HKMG是一种在DRAM晶体管内部的绝缘膜中，使用高介电常数 (K) 材料来阻止漏电流并提高静电电容的技术。

因此，下一代DRAM基于1a（第四代）工艺制造的可能性越来越大，因为与1b（第五代10nm级）相比，1a工艺的工艺难度相对较低。

这家厂商专注于3D DRAM创新，并且预计将持续扩张。

点击此处关注，获取最新资讯！