据闪德资讯获悉，2025年第2季，全球三大DRAM原厂三星、SK海力士、美光相继宣布减产DDR4并积极转产DDR5及HBM，提升产品组合毛利率。

长鑫存储5月跟进DDR4产能收敛，短期市场DDR4供应迅速紧缩，合约与现货价格同步上涨，回顾历史，原厂减产一向为存储产业周期落底反转前兆，预期本轮减产效应将驱动3Q25起价格进一步向上，模组厂库存水位低和渠道优势者将优先受惠。

目前主流型DRAM价格自低点反弹已达80%涨幅，利基型DRAM上涨15%。

原厂资本支出明显朝DDR5及HBM倾斜，DDR4未来供给日趋保守，模组厂ASP有望持续走高，市场短期仍将维持供给紧俏格局，预估DRAM报价涨势延续至3Q25，模组厂获利年增态势明确，供应链库存回补动能同步提升。

AI PC销售量快速成长，Gartner预估2026年渗透率将达50%，单机DRAM平均搭载量由传统PC的 10.9GB成长至AI PC的32GB甚至更高。

预估至2027年，AI PC DRAM用量将占总市场达16%，结构性需求拉升下，PC用DRAM市场占比将由12%提升至24%，为存储市场带来长线需求支撑。

短线存储产品报价动能充沛，预估至3Q25主流DRAM续涨10-15%；利基型DRAM，小幅上涨0-5%，其中具备DDR5产品组合优势与库存策略灵活的厂商，将成最大受惠者，预估模组厂毛利率及 EPS高弹性，有望进一步上修。

存储产业在本轮供需再平衡下，迎来新一轮景气周期，AI PC应用成长为中长期需求关键引擎，三大原厂产能策略转向高阶DRAM与HBM，短线DDR4供给紧俏带动ASP持续提升，模组厂及IC厂商营运拐点达成。

风险部分，原厂减产幅度及持续性仍需追踪，若AI PC渗透率未如预期或终端需求转弱，价格走势恐将提前钝化，中长期仍应留意HBM与DDR5平台技术转换节奏，避免库存错配风险。

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