据闪德资讯获悉，中国存储制造商正瞄准HBM市场。

目标是在今年年底前完成第四代HBM产品HBM3的量产认证流程。

该厂商正在积极扩建位于北京和合肥的工厂，预计将通过这些基地提升HBM产能。

业界预计，将在两年内实现目前最先进的第五代HBM（HBM3E）的量产。

专家评估，如果成功进入高端市场，影响将难以想象。

数据显示，HBM去年占DRAM出货量的5%，但销售额却高达20%，附加值之高令人感叹。

受美国出口限制影响，中国市场HBM需求将进一步扩大。

如果中国厂商能够化解困境，积蓄力量，迈向全球舞台，未来HBM的竞争格局将有望改变。

中国在研发投资方面也展现出积极姿态。

去年，在美国、日本和欧洲等竞争对手还在喘息之际，中国却提高了研发投资比例。

据统计，中国去年将半导体总销售额的9.2%用于研发，比上年（7.6%）增长了1.6%。

这与同期美国（19.3% → 17.7%）、日本（12.0% → 5.7%）和欧洲（14.0% → 10.8%）等主要国家的比例均有所下降形成鲜明对比。

中国存储器即将占据全球10%的市场份额。在美国加强对先进半导体技术管控的背景下，中国凭借稳固的国内市场和技术自力更生，在一年内实现了市场份额翻番。

美国半导体技术和设备出口的制裁并未阻挡中国半导体的崛起。

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