据闪德资讯获悉，美国半导体公司AMD发布了最新的人工智能（AI）芯片MI350系列。该芯片配备了三星电子的12层HBM3E。

AMD本周在加州圣何塞举办AI Advancements 2025活动，发布了全新AI芯片MI350X和MI355X。

CEO苏姿丰表示：“MI355X 的性能优于英伟达的Blackwell芯片。” 

三星电子首次正式确认

AMD表示，这款芯片将搭载三星电子和美光的HBM3E 12层产品。这是三星电子首次正式确认向AMD供应HBM。

AMD在几乎被英伟达垄断的AI芯片市场中的份额不足5%。

该公司计划凭借MI350系列扩大市场份额。AMD强调，芯片比英伟达的产品功耗更低，运营成本也更低。

OpenAI首席执行官Sam Altman出席活动时表示：“OpenAI将使用AMD芯片，当我第一次听到MI400的规格时，我觉得这是一个非常疯狂的想法。”

据AMD称，包括OpenAI、Tesla、xAI和Cohere在内的七家公司已经采用了他们的芯片。

AMD正式批准使用三星电子HBM，意味着性能和质量得到了保证，这将对三星电子获得其他客户有很大帮助。

MI350X系列内存容量大幅提升

MI350X和MI355X 的内存容量为288GB，比上一代增加了12.5%。

此外，通过组合8个GPU，总共可应用2.3TB的HBM3E。

AMD宣布将增加组合最多128个GPU的产品的销量，因此预计三星电子的HBM供应量也将增加。

Instinct MI350系列采用灵活的风冷和直接液冷配置，并针对无缝部署进行了优化，风冷机架最多可支持64个GPU，直接液冷机架最多可支持128个 GPU，可提供高达2.6 exaFLOPS的FP4/FP6性能。

这将有助于加快AI落地速度，并在基于行业标准的基础架构中降低成本。

AMD还透露，计划为明年上市的MI400系列GPU配备432GB的下一代HBM4显存。

与现有产品相比，AI计算能力将提升10倍。

苏姿丰强调：“计算能力与英伟达的Vera Rubin相同，但HBM负载和带宽是1.5倍。” 

随着联合电子设备工程会议（JEDEC）标准近期确定，HBM4目前正在为全面量产做准备。

三星电子和SK海力士计划在今年年底前量产HBM4。在HBM3竞争中落后于SK海力士和美光等竞争对手的三星电子正在寻求HBM4供应的扭转。 

SK海力士和美光公司正在基于第五代10nm级（1b）工艺生产HBM4，而三星电子计划通过领先一步的第六代10nm（1c）工艺生产HBM4，夺回存储器领域的老大地位。

今年第一季度，SK海力士在全球DRAM市场的份额为36.9%，紧随其后的是三星电子的34.4%和美光的25%。

如果在HBM4领域无法扭转局面，三星和SK海力士之间的差距只会进一步扩大，AMD正试图通过新设计的MI400系列缩小与英伟达的差距，三星电子也需要巩固与MI350系列的合作伙伴关系。