据闪德资讯获悉，台积电和三星电子都将在今年下半生产2纳米制程，但三星良率为40%，不及台积电的超过60%，而三星在吸引订单方面也遭逢挑战。

业界消息指出，台积电2纳米制程预定下半年在宝山厂和高雄厂生产，是该公司2纳米芯片首次采用环绕式闸极( GAA )架构。

和目前的3纳米制程相比，2纳米效能估计提高10%~15%，能耗降低25%~30%，电晶体密度增加15%。

知情人士说，台积2纳米良率已突破60%，跨越稳定量产的门槛。 

Counterpoint Research预测，台积电2纳米的产能利用率，将在今年第4季前达到100%，速度快过之前所有制程，下单大客户估计包括苹果、高通、AMD、英特尔、联发科等。

三星电子也拟于今年下半开始生产2纳米，据悉良率约为40%。

尽管三星在芯片生产商中率先采用GAA架构生产3纳米，但初期阶段持续苦于低良率。

该公司打算以先前采用GAA的经验，提升2纳米的稳定与产出。

三星并未说明2纳米产品为何，一般预料是自家的Exynos 2600处理器，将用于2026年初发布的Galaxy S26旗舰智能手机。

三星挑战在于吸引科技大客户的订单，以维持该公司先进制程的竞争力。

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