据闪德资讯获悉，随着第六代 HBM4 内存即将进入量产阶段，三星电子和SK海力士正积极重构半导体设备供应链以增强竞争力。

三星正加速推进设备自给化战略，逐步淘汰日本供应商新川的热压键合(TCB)设备，转而采用子公司Semes自主研发的解决方案。

该公司已在HBM3E生产中部署基于非导电薄膜(NCF)技术的Semes TCB设备，并计划将相同技术应用于HBM4。

三星还计划为HBM4采用混合键合技术，该技术可降低功耗、提升传输速度并改善散热性能，以取代传统的硅通孔(TSV)工艺。

这些举措是三星全面提升性能、缩小与SK海力士在高端HBM市场差距的重要布局。

相比之下，SK海力士正通过新增韩华Semitech作为TCB设备供应商来多元化其供应链，逐步减少对韩美半导体的依赖。

2025年上半年，韩华在订单量上已超越韩美，标志着供应商格局的转变。

SK海力士将继续在HBM4中使用TSV技术，并计划在HBM4E中采用混合键合技术。

其战略核心是通过促进供应商竞争来确保灵活性、稳定良率和成本效益。

美光科技也加入了HBM4内存竞赛，于6月10日宣布开始出货基于1-beta DRAM工艺的36GB样品。

美光计划于2026年实现量产，以支持下一代AI平台。

机构预测，HBM市场规模预计将在2025年达到31.7亿美元，到2030年增长至100.2亿美元，2025至2030年期间的复合年增长率为25.86%。

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